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Ieee Transactions On Electron Devices期刊
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Ieee Transactions On Electron Devices

SCIE

《Ieee Transactions On Electron Devices》创刊于1954年,是一本工程技术国际学术期刊,出版语言为English,年发文量1084。预计审稿周期约 约4.7个月 ,近三年曾被列入预警期刊名单。

中科院 2区
JCR Q2
Citescore 5.8
TOP期刊
ISSN: 0018-9383
出版地区: UNITED STATES
E-ISSN: 1557-9646
出版周期: Monthly
出版商: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
创刊时间: 1954年
国际简称: IEEE T ELECTRON DEV
出版语言: English
研究方向: 工程技术-工程:电子与电气
中文名称: IEEE Transactions On Electron Devices

Ieee Transactions On Electron Devices杂志简介

《Ieee Transactions On Electron Devices》由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,是物理:应用领域的国际权威期刊。自1954年创刊以来,该刊始终致力于发表工程技术领域的原创性、前瞻性研究成果,尤其关注工程技术领域的理论、政策与实践。该刊被SCIE数据库收录,在JCR学科,按JIF指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q2区;“PHYSICS, APPLIED”中位于Q2区;按JCI指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q2区;“PHYSICS, APPLIED”中位于Q2区;中国科学院期刊分区为大类工程技术2区,小类物理:应用2区。此外,在CiteScore学科分类中,该刊在“Electrical and Electronic Engineering”小类中位列Q2区,排名221 / 797,显示出在物理:应用领域的突出影响力。

作为一本非开放获取期刊,《Ieee Transactions On Electron Devices》2023年发文量在1084篇,研究类论文占比为100.00%。期刊最新影响因子为2.9 ,CiteScore为5.8,学术影响力持续稳健。该刊面向全球研究者,为探讨物理:应用领域提供了高水平的学术交流平台。

WOS期刊JCR分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

CiteScore(2025年最新版)

CiteScore数据趋势图

  • CiteScore:5.8
  • SJR:0.785
  • SNIP:1.223
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

Ieee Transactions On Electron Devices中国科学院期刊分区

中国科学院期刊分区趋势图

中国科学院期刊分区 (2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区 3区

中国科学院期刊分区 (2022年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区 3区

中国科学院期刊分区 (2021年12月旧的升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区 3区

Ieee Transactions On Electron Devices高引用文章

  • Fully Inkjet-Printed Photodetector Using a Graphene/Perovskite/Graphene Heterostructure

    引用次数:42

  • Effects of Postannealing on the Characteristics and Reliability of Polyfluorene Organic Light-Emitting Diodes

    引用次数:37

  • Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance

    引用次数:28

  • Demonstration of Constant 8 W/mm Power Density at and 94 GHz in State-of-the-Art Millimeter-Wave N-Polar GaN MISHEMTs

    引用次数:27

  • Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2 Layer for Large Memory Window and High Performance

    引用次数:22

  • 2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges

    引用次数:20

  • High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxide-Based FeFET Memory Without Retention Penalty

    引用次数:20

  • BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, AC Stress and Recovery Time Kinetics, Nitrogen Impact, and EOL Estimation

    引用次数:20

  • Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells

    引用次数:18

  • Design and Investigation of Charge-Plasma-Based Work Function Engineered Dual-Metal-Heterogeneous Gate Si-Si0.55Ge0.45 GAA-Cylindrical NWTFET for Ambipolar Analysis

    引用次数:17

Ieee Transactions On Electron Devices学术指标

年份 影响因子 年发文量 引文指标 自引率 CiteScore
2023 2.9 - 1084 - 0.71 - 17.2 - 5.8 -
2022 3.1 - 1093 - 0.73 - 16.1 - 5.4 -
2021 3.221 - 1129 - 0.75 - 17.9 - 5.3 -
2020 2.917 - 878 - 0.79 - 16.5 - 5.5 -
2019 2.913 - 802 - 0.79 - 18.2 - 5.3 -
2018 2.704 - 789 - 0.85 - 19.7 - 5 -

国家/地区发文量

国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100
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