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Ieee Electron Device Letters期刊
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Ieee Electron Device Letters

SCIE

《Ieee Electron Device Letters》创刊于1980年,是一本工程技术国际学术期刊,出版语言为English,年发文量477。预计审稿周期约 约1.3个月 ,近三年曾被列入预警期刊名单。

中科院 2区
JCR Q2
Citescore 8.2
TOP期刊
ISSN: 0741-3106
出版地区: UNITED STATES
E-ISSN: 1558-0563
出版周期: Monthly
出版商: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
创刊时间: 1980年
国际简称: IEEE ELECTR DEVICE L
出版语言: English
研究方向: 工程技术-工程:电子与电气
中文名称: IEEE 电子器件字母

Ieee Electron Device Letters杂志简介

《Ieee Electron Device Letters》由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,是工程:电子与电气领域的国际权威期刊。自1980年创刊以来,该刊始终致力于发表工程技术领域的原创性、前瞻性研究成果,尤其关注工程技术领域的理论、政策与实践。该刊被SCIE数据库收录,在JCR学科,按JIF指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q2区;按JCI指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q1区;中国科学院期刊分区为大类工程技术2区,小类工程:电子与电气2区。此外,在CiteScore学科分类中,该刊在“Electrical and Electronic Engineering”小类中位列Q1区,排名128 / 797,显示出在工程:电子与电气领域的突出影响力。

作为一本非开放获取期刊,《Ieee Electron Device Letters》2023年发文量在477篇,研究类论文占比为100.00%。期刊最新影响因子为4.1 ,CiteScore为8.2,学术影响力持续稳健。该刊面向全球研究者,为探讨工程:电子与电气领域提供了高水平的学术交流平台。

WOS期刊JCR分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

CiteScore(2025年最新版)

CiteScore数据趋势图

  • CiteScore:8.2
  • SJR:1.25
  • SNIP:1.5
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

Ieee Electron Device Letters中国科学院期刊分区

中国科学院期刊分区趋势图

中国科学院期刊分区 (2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区

中国科学院期刊分区 (2022年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区

中国科学院期刊分区 (2021年12月旧的升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区

Ieee Electron Device Letters高引用文章

  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV

    引用次数:38

  • An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor

    引用次数:36

  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs

    引用次数:28

  • Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque

    引用次数:27

  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping

    引用次数:27

  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz

    引用次数:26

  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation

    引用次数:24

  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs

    引用次数:24

  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)

    引用次数:23

  • First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications

    引用次数:22

Ieee Electron Device Letters学术指标

年份 影响因子 年发文量 引文指标 自引率 CiteScore
2023 4.1 - 477 - 1.13 - 9.8 - 8.2 -
2022 4.9 - 522 - 1.23 - 10.2 - 8.2 -
2021 4.816 - 429 - 1.27 - 8.7 - 8.5 -
2020 4.187 - 417 - 1.26 - 11 - 7.9 -
2019 4.221 - 459 - 1.27 - 12.9 - 7.4 -
2018 3.753 - 448 - 1.21 - 15 - 6.3 -

国家/地区发文量

国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32

机构发文量统计

机构 发文量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA 42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY 35
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